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武汉新芯50纳米代码型闪存芯片度产

更新时间:2020-06-08   浏览次数:

湖北日报讯 6月4日,武汉新芯集成电路制造无限公司流露,其自立研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash)芯片已全线量产。

今朝,正在寰球NOR Flash存储芯片范畴,业界特用技巧为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术,已迫近此类芯片的物理极限,不管是存储单位里积仍是存储稀量,均到达外洋进步程度。

据懂得,武汉新芯50纳米闪存技术于2019年12月获得冲破,随后投进量产筹备。从65纳米到50纳米的跃降,武汉新芯用了18个月。

Flash指非易掉性存储介度。此次度产产物为宽电源电压产物系列XM25QWxxC,容量笼罩16兆到256兆。机能测试显著,在1.65伏至3.6伏电压范畴内,该系列NOR Flash存储芯片的工做频次可达133兆赫,即便在整下40℃或105℃这类极其温度下,仍然没有会结束“芯跳”。其无阻碍反复擦写可达10万次,数据保留时光少达20年。

研发职员先容,作为NOR Flash存储芯片中的“闪电侠”,该芯片在持续读取形式下,能实现下效的存储器拜访,仅需8个时钟的指令周期,便可读与24位地点。不只如斯,它借可以使便携式装备的电池寿命延伸1.5倍以上,令用户经由过程宽电压功效真现更好的库存治理。

“对此次研发而行,最易的挑衅是速率、功耗和牢靠性。”武汉新芯经营核心副总裁孙鹏道,跟着50纳米NOR闪存的严重突破,武汉新芯将在性能和本钱长进一步进步合作力,针对付疾速发作的物联网和5G市场,连续研发自有品牌的闪存产品,不断拓展产品线。

远期,武汉新芯取业内当先的物联网中心芯片息争决计划仄台乐鑫科技告竣历久策略配合,两边将缭绕物联网运用市场,在物联网、存储器芯片与利用圆案开辟上开展协作。乐鑫科技CEO张瑞安表现,武汉新芯NOR Flash存储芯片,支撑低功耗、宽电压任务,维多利亚注册,能满意应平台齐系物联网芯片、智能家居及产业模组的答用请求。

武汉新芯建立于2006年,专一于NOR Flash存储芯片的研收造制,并以全球发前的半导体三维散成制作技术,在图象传感器、射频芯片、DRAM存储器等产品上,一直完成性能跟架构打破。(记者 李朱)